～コンパクトな設計で高ゲイン、高出力、高効率を実現～
アナログ・デバイセズ社（NASDAQ：ADI）は本日、コンパクトな設計でクラス最高レベルの性能を実現する、広帯域窒化ガリウム（GaN）パワー・アンプHMC8205 GaN MMIC（Monolithic Microwave Integrated Circuit モノリシックマイクロ波集積回路）を発表しました。この高集積アンプは、300 MHz～6 GHzのスペクトラムに対応し、パルスや連続波（Continuous Wave）への対応が求められる無線インフラ、レーダー、移動無線機、汎用増幅試験装置などのシステム設計に役立ちます。また、比類のない高集積、ゲイン、効率、広帯域を小型フットプリントで実現できるため、外部回路が最小限で済み、部品点数や基板スペースを削減できます。
主な特長
- 高PSAT：46dBm
- 高ゲイン：20dB
- 高PAE：38%
- 瞬時帯域幅：0.3～6GHz
- 電源電圧：VDD 50V＠1300mA
最適なアプリケーション
- 商業/軍事用レーダー
- 無線インフラ
- 試験/計測装置
HMC8205 GaN MMICアンプについて
HMC8205は、全瞬時帯域幅で最大44%の電力付加効率（Power Added Efficiency）を実現して35Wを出力しつつ、単一のパッケージに、DCフィード/RFバイアス・チョーク、DC阻止コンデンサおよびドライバ段を組み合わせています。また、パルスと連続波の双方で動作する点は、他の類似製品に無い特長です。
価格と提供時期
下記表中の価格は米国での価格です。
| 製品 | 周波数範囲 | サンプル 出荷 |
量産出荷 | 1,000個 受注時の 単価 |
パッケージ | 関連部品 |
| HMC8205 | 0.3～6 GHz | 出荷中 | 出荷中 | 469.00ドル | リード・フランジ・マウント | HMC637ALP5E |
【関連資料】
HMC8205の製品概要、データシートのダウンロード、サンプル、評価用ボード等の詳細
www.analog.com/jp/hmc8205
アナログ・デバイセズについて
アナログ・デバイセズは1965年の創業以来、高性能アナログで世界をリードし、さまざまな技術的課題を解決してきました。世界にインパクトを与えるイノベーションを実現するために、私たちは最先端のセンシング、計測、パワーマネジメント、通信、信号処理技術で、アナログとデジタルとの懸け橋となり、世界の動きをありのままに描き出します。
想像を超える可能性を―アナログ・デバイセズ http://www.analog.com/jp
アナログ・デバイセズの公式Twitter（日本版）
・@AnalogDevicesJP